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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | DMG1012T-13 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 630mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.737nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±6V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60.67pF @ 16V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 280mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-523 |
Paket / Fall | SOT-523 |