Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSS8402DW-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V, 50V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 115mA, 130mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 50mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Leistung max | 200mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS806NEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | 9000 | Einzelheiten | |
 |
BSS806NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | - | 21000 | Einzelheiten |
 |
BSS806NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | 0 | Einzelheiten | |
 |
BSS816NW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 | 0 | Einzelheiten | |
 |
BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 | 0 | Einzelheiten | |
 |
BSS83,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B | - | 0 | Einzelheiten |
 |
BSS83,235 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 10V 50MA SOT143 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
BSS83PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 | 0 | Einzelheiten | |
 |
BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 | 66000 | Einzelheiten | |
 |
BSS83PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 | 0 | Einzelheiten | |
 |
BSS84 | Fairchild/Micross Components | DIE TRANS P-CH SMALL SIGNAL | - | 0 | Einzelheiten |
 |
BSS84,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | 78000 | Einzelheiten |