Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 1N5818M-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Dioden-Typ | Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 30V |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Lieferantengerätepaket | MELF |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -60°C ~ 125°C |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5802 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL | - | 262 | Einzelheiten |
 |
1N5802US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A D5A | - | 181 | Einzelheiten |
 |
1N5803 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL | - | 0 | Einzelheiten |
 |
1N5804 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | - | 478 | Einzelheiten |
 |
1N5804US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A D5A | - | 104 | Einzelheiten |
 |
1N5805 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL | - | 0 | Einzelheiten |
 |
1N5806 | Semtech Corporation | D MET 2.5A SFST 150V | - | 0 | Einzelheiten |
|
1N5806/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | - | 12 | Einzelheiten |
|
1N5806C.TR | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | - | 0 | Einzelheiten |
|
1N5806E3/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | - | 12 | Einzelheiten |
 |
1N5806TR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | - | 0 | Einzelheiten |
|
1N5806US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 1A D5A | - | 229 | Einzelheiten |