CYDD18S36V18-200BBXC

IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256FBGA
CYDD18S36V18-200BBXC P1
CYDD18S36V18-200BBXC P1
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Cypress Semiconductor Corp ~ CYDD18S36V18-200BBXC

Artikelnummer
CYDD18S36V18-200BBXC
Hersteller
Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung
IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer CYDD18S36V18-200BBXC
Teilstatus Obsolete
Speichertyp Volatile
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße 18Mb (256K x 36 x 2)
Taktfrequenz 200MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 500ps
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 256-LBGA
Lieferantengerätepaket 256-FBGA (17x17)

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