CYD18S18V18-200BBAXI

IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256FBGA
CYD18S18V18-200BBAXI P1
CYD18S18V18-200BBAXI P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Cypress Semiconductor Corp ~ CYD18S18V18-200BBAXI

Artikelnummer
CYD18S18V18-200BBAXI
Hersteller
Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung
IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer CYD18S18V18-200BBAXI
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße 18Mb (1M x 18)
Taktfrequenz 200MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 3.3ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 256-LBGA
Lieferantengerätepaket 256-FBGA (17x17)

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