TB8S-G

DIODE BRIDGE GPP 0.8A 800V TBS
TB8S-G P1
TB8S-G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Comchip Technology ~ TB8S-G

Artikelnummer
TB8S-G
Hersteller
Comchip Technology
Beschreibung
DIODE BRIDGE GPP 0.8A 800V TBS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Brückengleichrichter
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Produktparameter

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Artikelnummer TB8S-G
Teilstatus Active
Dioden-Typ Single Phase
Technologie Standard
Spannung - Spitzenrücklauf (Max) 800V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 800mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 400mA
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 10µA @ 800V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 4-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket 4-TBS

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