BCY59-IX

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
BCY59-IX P1
BCY59-IX P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Central Semiconductor Corp ~ BCY59-IX

Artikelnummer
BCY59-IX
Hersteller
Central Semiconductor Corp
Beschreibung
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- BCY59-IX PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer BCY59-IX
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 45V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 2.5mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 630 @ 10mA, 1V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang 150MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket TO-18

Verwandte Produkte

Alle Produkte