2N6491

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
2N6491 P1
2N6491 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Central Semiconductor Corp ~ 2N6491

Artikelnummer
2N6491
Hersteller
Central Semiconductor Corp
Beschreibung
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer 2N6491
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 15A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 80V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 5A, 15A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 1A, 4V
Leistung max 75W
Frequenz - Übergang 5MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220-3

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