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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 2N5306 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN - Darlington |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 300mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 25V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 200µA, 200mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 7000 @ 2mA, 5V |
| Leistung max | 625mW |
| Frequenz - Übergang | 60MHz |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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2N1016B | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | - | 48 | Einzelheiten |
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2N1016C | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | - | 48 | Einzelheiten |
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2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | - | 48 | Einzelheiten |
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2N1131 | Central Semiconductor Corp | THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI | - | 0 | Einzelheiten |
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2N1131A | Central Semiconductor Corp | THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI | - | 0 | Einzelheiten |
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2N1131B | Central Semiconductor Corp | THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI | - | 0 | Einzelheiten |
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2N1481 | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | - | 2611 | Einzelheiten |
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2N1483 | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | - | 1577 | Einzelheiten |