NE461M02-T1-QR-AZ

SAME AS 2SC5337 NPN SILICON MEDI
NE461M02-T1-QR-AZ P1
NE461M02-T1-QR-AZ P1
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CEL ~ NE461M02-T1-QR-AZ

Artikelnummer
NE461M02-T1-QR-AZ
Hersteller
CEL
Beschreibung
SAME AS 2SC5337 NPN SILICON MEDI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer NE461M02-T1-QR-AZ
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 15V
Frequenz - Übergang -
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Gewinnen 8.3dB
Leistung max 2W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 50mA, 10V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 250mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Lieferantengerätepaket -

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