Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | VP2110K1-G |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 120mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 360mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 500mA, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |