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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | VN3205N3-G-P002 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 50V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.2A (Tj) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 3A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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VN3205N3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3 | - | 365 | Einzelheiten |
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VN3205N3-G-P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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VN3205N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 50V 1.5A SOT89-3 | - | 0 | Einzelheiten |