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Microchip Technology ~ VN2210N2

Artikelnummer	VN2210N2
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1.7A (Tj)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 10mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	360mW (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 4A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-39
Paket / Fall	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
VN2	Carlo Gavazzi Inc.	LVL SEN COND 2 PROBE NYLON	-	487	Einzelheiten
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VN20-2031	Cinch Connectivity Solutions Vitelec	CONN N TYPE PLUG R/A SOLDER	-	7682	Einzelheiten
VN20-2050	Cinch Connectivity Solutions Vitelec	CONN N TYPE PLUG R/A SOLDER	-	7682	Einzelheiten
VN20-2051	Cinch Connectivity Solutions Vitelec	CONN N TYPE PLUG R/A 50OHM SOLDR	-	7682	Einzelheiten
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VN21-E	STMicroelectronics	IC SSR ISO HISIDE PENTAWATT VERT		0	Einzelheiten