VN10KN3-G-P003

MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
VN10KN3-G-P003 P1
VN10KN3-G-P003 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microchip Technology ~ VN10KN3-G-P003

Artikelnummer
VN10KN3-G-P003
Hersteller
Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- VN10KN3-G-P003 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer VN10KN3-G-P003
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 310mA (Tj)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-92-3
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Verwandte Produkte

Alle Produkte