Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TP2640LG-G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 400V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 86mA (Tj) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 740mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 300mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP2635N3-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3 | - | 902 | Einzelheiten |
 |
TP2640LG-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
 |
TP2640N3-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3 | - | 1129 | Einzelheiten |