Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TC6320K6-G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V |
| Leistung max | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (4x4) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TC63 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP ALUM 12UF 350V AXIAL | 0 | Einzelheiten | |
 |
TC6320K6-G | Microchip Technology | MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN | - | 0 | Einzelheiten |
 |
TC6320TG-G | Microchip Technology | MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
 |
TC6321T-V/9U | Microchip Technology | MOSFET ARRAY N/P-CH 200V 8VDFN | 3300 | Einzelheiten |