AOT8N65_001

MOSFET N-CH 650V 8A TO220
AOT8N65_001 P1
AOT8N65_001 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOT8N65_001

Artikelnummer
AOT8N65_001
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer AOT8N65_001
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 208W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.15 Ohm @ 4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Fall TO-220-3

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