AS4C16M16MD1-6BIN

IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA
AS4C16M16MD1-6BIN P1
AS4C16M16MD1-6BIN P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Alliance Memory, Inc. ~ AS4C16M16MD1-6BIN

Artikelnummer
AS4C16M16MD1-6BIN
Hersteller
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung
IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer AS4C16M16MD1-6BIN
Teilstatus Obsolete
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße 256Mb (16M x 16)
Taktfrequenz 166MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 15ns
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket 60-FPBGA (8x9)

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