ALD114935PAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
ALD114935PAL P1
ALD114935PAL P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Advanced Linear Devices Inc. ~ ALD114935PAL

Artikelnummer
ALD114935PAL
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
ALD114935PAL.pdf ALD114935PAL PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer ALD114935PAL
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Eigenschaft Depletion Mode
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 10.6V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12mA, 3mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 540 Ohm @ 0V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.45V @ 1µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Leistung max 500mW
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket 8-PDIP

Verwandte Produkte

Alle Produkte