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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | ALD110908APAL |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 10.6V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12mA, 3mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 4.8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 810mV @ 1µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Leistung max | 500mW |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 8-PDIP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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ALD1101APAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | 0 | Einzelheiten | |
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ALD1101ASAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | 10 | Einzelheiten | |
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ALD1101BPAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | 0 | Einzelheiten | |
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ALD1101BSAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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ALD1101PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | 213 | Einzelheiten | |
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ALD1101SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | 95 | Einzelheiten | |
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ALD1102APAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP | 51 | Einzelheiten | |
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ALD1102ASAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC | 151 | Einzelheiten | |
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ALD1102BPAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP | 0 | Einzelheiten | |
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ALD1102BSAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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ALD1102PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP | 155 | Einzelheiten | |
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ALD1102SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC | 70 | Einzelheiten |