Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | SIA477EDJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | P-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 12V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 8V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 2970pF @ 6V |
| Vgs (Tối đa) | - |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | - |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Gói / Trường hợp | PowerPAK® SC-70-6 |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA477EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L | 0 | Chi tiết | |
 |
SIA477EDJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6 | - | 0 | Chi tiết |