Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | RJM0603JSC-00#13 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Obsolete |
| Loại FET | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| Tính năng FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 60V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 10V |
| Sức mạnh tối đa | 54W |
| Nhiệt độ hoạt động | 175°C |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | 20-HSOP |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
RJM0603JSC-00#12 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | 0 | Chi tiết | |
|
RJM0603JSC-00#13 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | - | 0 | Chi tiết |