Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | SISS23DN-T1-GE3 |
---|---|
Parça Durumu | Active |
FET Tipi | P-Channel |
teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 20V |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 50A (Tc) |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 8840pF @ 15V |
Vgs (Maks.) | ±8V |
FET Özelliği | - |
Güç Dağılımı (Maks.) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
Çalışma sıcaklığı | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Aygıt Paketi | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Paket / Durum | 8-PowerVDFN |