Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | TPC8407,LQ(S |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N and P-Channel |
| FET Özelliği | Logic Level Gate |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 30V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 9A, 7.4A |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 10V |
| Maksimum güç | 450mW |
| Çalışma sıcaklığı | 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 8-SOP |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPC8.2AHM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
TPC8.2AHM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
TPC8.2AHM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 12.1VC 124A TO277A | 0 | ayrıntılar | |
|
TPC8.2AHM3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 12.1VC 124A TO277A | 0 | ayrıntılar | |
 |
TPC8.2HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
TPC8.2HM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
TPC8012-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
TPC8014(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | 0 | ayrıntılar | |
 |
TPC8018-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B | 0 | ayrıntılar | |
 |
TPC8021-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | 0 | ayrıntılar | |
 |
TPC8022-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B | 0 | ayrıntılar | |
 |
TPC8026(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | 0 | ayrıntılar |