Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | JANTXV2N7334 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | 4 N-Channel |
| FET Özelliği | Standard |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 100V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 1A |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Maksimum güç | 1.4W |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Paket / Durum | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | MO-036AB |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | ayrıntılar |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | ayrıntılar |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | ayrıntılar |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | ayrıntılar |
 |
JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | ayrıntılar |