TK7Q60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3
TK7Q60W,S1VQ P1
TK7Q60W,S1VQ P2
TK7Q60W,S1VQ P1
TK7Q60W,S1VQ P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK7Q60W,S1VQ

номер части
TK7Q60W,S1VQ
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- TK7Q60W,S1VQ PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части TK7Q60W,S1VQ
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 350µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 490pF @ 300V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 60W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика I-Pak
Упаковка / чехол TO-251-3 Stub Leads, IPak

сопутствующие товары

Все продукты