номер части | TPS1120DR |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | 2 P-Channel (Dual) |
Функция FET | Logic Level Gate |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 15V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.17A |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 5.45nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | - |
Мощность - макс. | 840mW |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Пакет устройств поставщика | 8-SOIC |