Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ AFT09MS007NT1

номер части: AFT09MS007NT1
производитель: NXP USA Inc.
Описание: FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: AFT09MS007NT1.pdf AFT09MS007NT1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	AFT09MS007NT1
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS
частота	870MHz
Усиление	15.2dB
Напряжение - испытание	7.5V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	100mA
Выходная мощность	7.3W
Напряжение - Номинальное напряжение	30V
Упаковка / чехол	PLD-1.5W-2
Пакет устройств поставщика	PLD-1.5W-2

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
AFT09H310-03SR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230S-4S		0	подробности
AFT09H310-04GSR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230-4GS		0	подробности
AFT09MP055GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270		0	подробности
AFT09MP055NR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270		0	подробности
AFT09MS007NT1	NXP USA Inc.	FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W		1000	подробности
AFT09MS015NT1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 870MHZ PLD		0	подробности
AFT09MS031GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 870MHZ TO270-2G		0	подробности
AFT09MS031NR1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 870MHZ TO-270-2		500	подробности
AFT09S200W02GNR3	NXP USA Inc.	FET RF 70V 960MHZ PLD		0	подробности
AFT09S200W02NR3	NXP USA Inc.	FET RF 70V 960MHZ PLD		0	подробности
AFT09S200W02SR3	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD	-	0	подробности
AFT09S220-02NR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS		0	подробности