MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E P1
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Micron Technology Inc. ~ MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

номер части
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
производитель
Micron Technology Inc.
Описание
IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MT53B512M32D2DS-053 AAT:E PDF online browsing
семья
Память
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Статус детали Active
Тип памяти Volatile
Формат памяти DRAM
Технологии SDRAM - Mobile LPDDR4
Размер памяти 16Gb (512M x 32)
Частота часов 1866MHz
Время цикла записи - слово, страница -
Время доступа -
Интерфейс памяти -
Напряжение - Поставка 1.1V
Рабочая Температура -40°C ~ 105°C (TA)
Тип монтажа -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -

сопутствующие товары

Все продукты