| номер части | BSZ120P03NS3GATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 73µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 3360pF @ 15V |
| Vgs (Макс.) | ±25V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 20A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TSDSON-8 |
| Упаковка / чехол | 8-PowerTDFN |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ120P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | - | 0 | подробности |
 |
BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | - | 0 | подробности |
