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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | SQJ431AEP-T1_GE3 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 200V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.4A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 305 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 85nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3700pF @ 25V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 68W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |