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BOM

TPH3212PS

GAN FET 650V 27A TO220
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › TPH3212PS
TPH3212PS P1
TPH3212PS P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Transphorm ~ TPH3212PS

品番
TPH3212PS
メーカー
Transphorm
説明
GAN FET 650V 27A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- TPH3212PS PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 TPH3212PS
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 27A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 8V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.6V @ 400uA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 14nC @ 8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1130pF @ 400V
Vgs（最大） ±18V
FET機能 -
消費電力（最大） 104W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 72 mOhm @ 17A, 8V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3

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