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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | TPS1120DR |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) |
FET機能 | Logic Level Gate |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 15V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.17A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 5.45nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
電力 - 最大 | 840mW |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |