SCT3030ALGC11

MOSFET NCH 650V 70A TO247N
SCT3030ALGC11 P1
SCT3030ALGC11 P1
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Rohm Semiconductor ~ SCT3030ALGC11

品番
SCT3030ALGC11
メーカー
Rohm Semiconductor
説明
MOSFET NCH 650V 70A TO247N
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- SCT3030ALGC11 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 SCT3030ALGC11
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 70A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 18V
Vgs(th)(Max)@ Id 5.6V @ 13.3mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 104nC @ 18V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1526pF @ 500V
Vgs(最大) +22V, -4V
FET機能 -
消費電力(最大) 262W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 39 mOhm @ 27A, 18V
動作温度 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247N
パッケージ/ケース TO-247-3

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