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品番 | RQ6L020SPTCR |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 210 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 7.2nC @ 5V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 750pF @ 10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1.25W (Ta) |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | TSMT6 (SC-95) |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |