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| 品番 | C3M0120100J |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1000V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 15V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 3mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 21.5nC @ 15V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 350pF @ 600V |
| Vgs（最大） | +15V, -4V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 83W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 155 mOhm @ 15A, 15V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK-7 |
| パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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