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| Numero di parte | VS-GB100YG120NT |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Configurazione | Full Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 127A |
| Potenza - Max | 625W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 4V @ 15V, 100A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 80µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ECONO3 4PACK |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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VS-GB05XP120KTPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE MTP SWITCH | 0 | Dettagli | |
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VS-GB100DA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-227 | 0 | Dettagli | |
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VS-GB100LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-GB100LP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-GB100NH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-GB100TH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-GB100TH120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-GB100TP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-GB100TP120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-GB100TS60NPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-GB100YG120NT | Vishay Semiconductor Diodes Division | OUTPUT SW MODULES - ECONO IGBT | - | 160 | Dettagli |
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VS-GB150LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK | - | 0 | Dettagli |