VS-ENQ030L120S

IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B
VS-ENQ030L120S P1
VS-ENQ030L120S P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-ENQ030L120S

Numero di parte
VS-ENQ030L120S
fabbricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione
IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- VS-ENQ030L120S PDF online browsing
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte VS-ENQ030L120S
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench
Configurazione Three Level Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 61A
Potenza - Max 216W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 30A
Corrente - Limite del collettore (max) 230µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3.34nF @ 30V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso EMIPAK-1B
Pacchetto dispositivo fornitore EMIPAK-1B

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