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| Numero di parte | SM8S10ATHE3/I |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | Zener |
| Canali unidirezionali | 1 |
| Canali bidirezionali | - |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 10V |
| Voltage - Breakdown (Min) | 11.1V |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 17V |
| Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 388A |
| Potenza - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
| Protezione della linea di alimentazione | No |
| applicazioni | Automotive |
| Capacità @ frequenza | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-218AC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AC |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SM8S10A-E3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB | 0 | Dettagli | |
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SM8S10AHE3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB | 0 | Dettagli | |
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SM8S10AHE3/2E | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB | 0 | Dettagli | |
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SM8S10AHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 17VC 388A DO218AB | - | 0 | Dettagli |
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SM8S10ATHE3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 17VC | - | 0 | Dettagli |
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SM8S10HE3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 18.8VC DO218AB | - | 0 | Dettagli |
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SM8S10HE3/2E | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 18.8VC DO218AB | - | 0 | Dettagli |
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SM8S11-E3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 11VWM 20.1VC DO218AB | 0 | Dettagli | |
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SM8S11AHE3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO218AB | 0 | Dettagli | |
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SM8S11AHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 18.2VC 363A DO218AB | - | 0 | Dettagli |
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SM8S11ATHE3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 11VWM 18.2VC | - | 0 | Dettagli |
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SM8S11HE3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 11VWM 20.1VC DO218AB | - | 0 | Dettagli |