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| Numero di parte | CUHS10F60,H3F |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 60V |
| Capacità @ Vr, F | 130pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 2-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | US2H |
| Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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CUHS10F60,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI | - | 844361 | Dettagli |