RJP65T54DPM-A0#T2

IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
RJP65T54DPM-A0#T2 P1
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Renesas Electronics America ~ RJP65T54DPM-A0#T2

Numero di parte
RJP65T54DPM-A0#T2
fabbricante
Renesas Electronics America
Descrizione
IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
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Numero di parte RJP65T54DPM-A0#T2
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 60A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.68V @ 15V, 30A
Potenza - Max 63.5W
Cambiare energia 330µJ (on), 760µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 72nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 35ns/120ns
Condizione di test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso SC-94
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PFP

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