RJP65T43DPQ-A0#T2

IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
RJP65T43DPQ-A0#T2 P1
RJP65T43DPQ-A0#T2 P1
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Renesas Electronics America ~ RJP65T43DPQ-A0#T2

Numero di parte
RJP65T43DPQ-A0#T2
fabbricante
Renesas Electronics America
Descrizione
IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
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Numero di parte RJP65T43DPQ-A0#T2
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 60A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A
Potenza - Max 150W
Cambiare energia 170µJ (on), 130µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 69nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 35ns/105ns
Condizione di test 400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247A

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