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Numero di parte | APTM50HM75SCTG |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 123nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5590pF @ 25V |
Potenza - Max | 357W |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP4 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |