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| Numero di parte | EPC2101ENGRT |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V |
| Potenza - Max | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC2001 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | 26500 | Dettagli | |
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EPC2001C | EPC | TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE | 70000 | Dettagli | |
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EPC2007 | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 0 | Dettagli | |
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EPC2007C | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 15000 | Dettagli | |
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EPC2010 | EPC | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | 5000 | Dettagli | |
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EPC2010C | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 12000 | Dettagli | |
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EPC2010CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 0 | Dettagli | |
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EPC2012 | EPC | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | 4000 | Dettagli | |
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EPC2012C | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 21000 | Dettagli | |
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EPC2012CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 0 | Dettagli | |
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EPC2014 | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | 26000 | Dettagli | |
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EPC2014C | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | 97500 | Dettagli |