HS1FL RVG

DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
HS1FL RVG P1
HS1FL RVG P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ HS1FL RVG

Numéro d'article
HS1FL RVG
Fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
La description
DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article HS1FL RVG
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 300V
Courant - Rectifié moyen (Io) 1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 950mV @ 1A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 5µA @ 300V
Capacitance @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas DO-219AB
Package de périphérique fournisseur Sub SMA
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C

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