STW70N60M2-4

POWER MOSFET
STW70N60M2-4 P1
STW70N60M2-4 P1
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STMicroelectronics ~ STW70N60M2-4

Numéro d'article
STW70N60M2-4
Fabricant
STMicroelectronics
La description
POWER MOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- STW70N60M2-4 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article STW70N60M2-4
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 68A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 118nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 100V
Vgs (Max) ±25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 34A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage -
Package de périphérique fournisseur -
Paquet / cas -

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