UPA2690T1R-E2-AX

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
UPA2690T1R-E2-AX P1
UPA2690T1R-E2-AX P1
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Renesas Electronics America ~ UPA2690T1R-E2-AX

Numéro d'article
UPA2690T1R-E2-AX
Fabricant
Renesas Electronics America
La description
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- UPA2690T1R-E2-AX PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article UPA2690T1R-E2-AX
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel Complementary
FET Caractéristique Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 10V
Puissance - Max 2.3W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-WFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 6-HUSON (2x2)

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