RJP65T43DPQ-A0#T2

IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
RJP65T43DPQ-A0#T2 P1
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Renesas Electronics America ~ RJP65T43DPQ-A0#T2

Numéro d'article
RJP65T43DPQ-A0#T2
Fabricant
Renesas Electronics America
La description
IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- RJP65T43DPQ-A0#T2 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article RJP65T43DPQ-A0#T2
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A
Puissance - Max 150W
Échange d'énergie 170µJ (on), 130µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 69nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 35ns/105ns
Condition de test 400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247A

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