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| Numéro d'article | APTML202UM18R010T3AG |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 109A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9880pF @ 25V |
| Puissance - Max | 480W |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SP3 |
| Package de périphérique fournisseur | SP3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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APTML202UM18R010T3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3 | - | 0 | Détails |
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APTML20UM18R010T1AG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 109A SP1 | - | 0 | Détails |