SQP50P03-07_GE3

MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
SQP50P03-07_GE3 P1
SQP50P03-07_GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SQP50P03-07_GE3

Número de pieza
SQP50P03-07_GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- SQP50P03-07_GE3 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza SQP50P03-07_GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5380pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / caja TO-220-3

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